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Partie #: MZ-77E2T0B/AM

Code de l'article: SSSAS00107

isque SSD Samsung 870 EVO de 2 To SATA III, lecture : 560 Mo/s, écriture : 530 Mo/s (MZ-77E2T0B/AM

Name: isque SSD Samsung 870 EVO SATA III de 2 T
Brand: SAMSUNG
SKU: SSSAS00107
Price: 199.99 CAD
Availability: SoldOut
Rating: 5 (8 reviews)

5.0 (8 commentaires)

SAMSUNG

Partie #: MZ-77E2T0B/AM

Code de l'article: SSSAS00107

isque SSD Samsung 870 EVO de 2 To SATA III, lecture : 560 Mo/s, écriture : 530 Mo/s (MZ-77E2T0B/AM

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Le dernier modèle de la série SSD de Samsung est enfin arrivé. Le 870 EVO s'appuie sur la technologie SSD de pointe de Samsung, offrant un rendement, une fiabilité et une compatibilité améliorées pour répondre aux besoins de tous, des créateurs de contenu aux professionnels des TI, en passant par les utilisateurs quotidiens.

Le 870 EVO atteint la vitesse séquentielle maximale limite d'interface SATA de 560/530 Mo/s. Les utilisateurs quotidiens peuvent maintenant profiter d'un rendement SSD de niveau professionnel. La technologie Intelligent TurboWrite accélère les vitesses d'écriture et maintient un rendement élevé à long terme, y compris une mémoire tampon variable de plus grande taille.

Période de retour	15 jours
période d'échange pour défaut	90 jours

Période de retour	15 jours
période d'échange pour défaut	90 jours

Marque	SAMSUNG
Série	870 EVO
Numéro de pièce du fabricant	MZ-77E2T0B/AM
Type de disque SSD	Interne
SSD Facteur de forme	2.5"
Capacité du disque électronique	2 To
Type de mémoire SSD	MLC
Interface SSD	SATA
Interface	SATA III 6GB/s
Allowable Voltage	5 V ± 5 % Tension admissible
Average Power Consumption (System Level)	Moyenne : 2,5 W <br> Maximum : 4,5 W (mode rafale) <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Capacité	2 To
Contrôleur	Samsung MKX Controller
Type d'appareil	Disque électronique interne
Dimensions	100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Fiabilité (MTBF)	1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Operating temperature	0 - 70 ℃ Température de fonctionnement
Power consumption (Idle)	Max. 35 mW <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Lecture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 13 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Lecture aléatoire (4 Ko, QD32)	Jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Écriture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 36 000 IOPS en écriture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Sequential Read	Jusqu'à 560 Mo/s en lecture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Sequential Write	Jusqu'à 530 Mo/s en écriture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Choc	1 500 G et 0,5 ms (demi-sinusoïdal)
Garantie	Garantie limitée de 5 ans ou garantie limitée de 1 200 TBW<br>

Marque	SAMSUNG
Série	870 EVO
Numéro de pièce du fabricant	MZ-77E2T0B/AM
Type de disque SSD	Interne
SSD Facteur de forme	2.5"
Capacité du disque électronique	2 To
Type de mémoire SSD	MLC
Interface SSD	SATA
Interface	SATA III 6GB/s
Allowable Voltage	5 V ± 5 % Tension admissible
Average Power Consumption (System Level)	Moyenne : 2,5 W <br> Maximum : 4,5 W (mode rafale) <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système.
Capacité	2 To
Contrôleur	Samsung MKX Controller
Type d'appareil	Disque électronique interne
Dimensions	100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Fiabilité (MTBF)	1.5 Million Hours Reliability (MTBF)
Operating temperature	0 - 70 ℃ Température de fonctionnement
Power consumption (Idle)	Max. 35 mW <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Lecture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 13 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Lecture aléatoire (4 Ko, QD32)	Jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Écriture aléatoire (4 Ko, QD1)	Jusqu'à 36 000 IOPS en écriture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Sequential Read	Jusqu'à 560 Mo/s en lecture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Sequential Write	Jusqu'à 530 Mo/s en écriture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite
Choc	1 500 G et 0,5 ms (demi-sinusoïdal)
Garantie	Garantie limitée de 5 ans ou garantie limitée de 1 200 TBW<br>

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