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2 Disponible à London, ON

Le dernier modèle de la série SSD de Samsung est enfin arrivé. Le 870 EVO s'appuie sur la technologie SSD de pointe de Samsung, offrant un rendement, une fiabilité et une compatibilité améliorées pour répondre aux besoins de tous, des créateurs de contenu aux professionnels des TI, en passant par les utilisateurs quotidiens.
Le 870 EVO atteint la vitesse séquentielle maximale limite d'interface SATA de 560/530 Mo/s. Les utilisateurs quotidiens peuvent maintenant profiter d'un rendement SSD de niveau professionnel. La technologie Intelligent TurboWrite accélère les vitesses d'écriture et maintient un rendement élevé à long terme, y compris une mémoire tampon variable de plus grande taille.
| Période de retour | 15 jours |
| période d'échange pour défaut | 90 jours |
| Période de retour | 15 jours |
| période d'échange pour défaut | 90 jours |
| Marque | SAMSUNG |
| Série | 870 EVO |
| Numéro de pièce du fabricant | MZ-77E2T0B/AM |
| Type de disque SSD | Interne |
| SSD Facteur de forme | 2.5" |
| Capacité du disque électronique | 2 To |
| Type de mémoire SSD | MLC |
| Interface SSD | SATA |
| Allowable Voltage | 5 V ± 5 % Tension admissible |
| Average Power Consumption (System Level) | Moyenne : 2,5 W <br> Maximum : 4,5 W (mode rafale) <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système. |
| Operating Temperature | 0 - 70 ℃ Température de fonctionnement |
| Power consumption (Idle) | Max. 35 mW <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système |
| Lecture aléatoire (4 Ko, QD1) | Jusqu'à 13 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite |
| Lecture aléatoire (4 Ko, QD32) | Jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite |
| Écriture aléatoire (4 Ko, QD1) | Jusqu'à 36 000 IOPS en écriture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite |
| Sequential Read | Jusqu'à 560 Mo/s en lecture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système |
| Sequential Write | Jusqu'à 530 Mo/s en écriture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite |
| Choc | 1 500 G et 0,5 ms (demi-sinusoïdal)<br> |
| Marque | SAMSUNG |
| Série | 870 EVO |
| Numéro de pièce du fabricant | MZ-77E2T0B/AM |
| Type de disque SSD | Interne |
| SSD Facteur de forme | 2.5" |
| Capacité du disque électronique | 2 To |
| Type de mémoire SSD | MLC |
| Interface SSD | SATA |
| Allowable Voltage | 5 V ± 5 % Tension admissible |
| Average Power Consumption (System Level) | Moyenne : 2,5 W <br> Maximum : 4,5 W (mode rafale) <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système. |
| Operating Temperature | 0 - 70 ℃ Température de fonctionnement |
| Power consumption (Idle) | Max. 35 mW <br> La consommation électrique réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système |
| Lecture aléatoire (4 Ko, QD1) | Jusqu'à 13 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite |
| Lecture aléatoire (4 Ko, QD32) | Jusqu'à 98 000 IOPS en lecture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite |
| Écriture aléatoire (4 Ko, QD1) | Jusqu'à 36 000 IOPS en écriture aléatoire * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite |
| Sequential Read | Jusqu'à 560 Mo/s en lecture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système |
| Sequential Write | Jusqu'à 530 Mo/s en écriture séquentielle * Les performances peuvent varier en fonction du matériel et de la configuration du système ** Mesurées avec l'activation de la technologie Intelligent TurboWrite |
| Choc | 1 500 G et 0,5 ms (demi-sinusoïdal)<br> |
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